网友提问 ：公司拥有“一种氮化镓器件的制备方法及终端结构”发明专利系公司开发第三代半导体材料氮化镓功率器件形成的专利技术,目前氮化镓器件部分产品已完成样品开发。请问，目前进展如何？有拳头产品了吗？
2023-12-29 17:33:15
芯导科技 (688230): 回答：尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注。公司第三代半导体650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-250mR的P-GaN系列产品，目前多个客户已将前述产品纳入自身项目资源池中，等待客户正式启动项目后进入小批量试生产。此外，中低压GaN HEMT产品已经进入流片阶段，cascode结构GaN HEMT也正在稳步有序开发中。公司坚持第三代半导体GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发, 高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，并实现小批量出货。谢谢！
2023-12-29 17:33:15